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C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S9101MR1 MRF5S9101MBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS - 900 MHz
90
?85
?65
0
TC
= 85
C
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 12. Spectral Regrowth @ 600 kHz
versus Output Power
SPECTRAL REGROWTH @ 600 kHz (dBc)
25C
?30C
?70
?75
?80
10 20 30 40 50 60 70 80
VDD
= 28 Vdc
IDQ
= 650 mA
f = 940 MHz
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than ±10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by ID2
for MTTF in a particular application.
Figure 13. MTTF Factor versus Junction Temperature
100 110 120 130 140 150 160 170 180 190 200
210
1.E+07
1.E+10
90
MTTF FACTOR (HOURS X AMPS
2
)
1.E+09
1.E+08
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